半導体製造装置用治具及びその使用方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035792
特許番号：特許第3307370号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に窒化膜を形成する際に使用される半導体製造装置用治具において、前記半導体基板上に形成しようとする窒化膜よりもエッチング速度が速いTEOS-NSG膜が表面にコーティングされていることを特徴とする半導体製造装置用治具。

IPC (1件)：