Si3N4成膜装置のクリーニング方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297377
特許番号：特許第3669864号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Si3N4膜を製造する装置において、反応器内に堆積したSi3N4および排気配管内に堆積したSiまたはSi系化合物を含有したNH4Clをクリーニングする際に、先に、圧力0.1〜200Torr、温度70〜150°Cの条件で、排気系配管内に堆積したNH4Cl中のSi量(モル量)に対して、単位時間当たり0.01〜20倍量(モル量)の流量のClF3で反応除去した後、反応器内を圧力0.1〜200Torr、温度300〜700°Cの条件で、10SCCM〜1SLMの流量のClF3で反応除去することを特徴とするSi3N4成膜装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：