特許

J-GLOBAL ID：201103025884326644

エピタキシャルウェハ

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-168808
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023642
出願日： 2009年07月17日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】従来構造のバッファ層を用いた場合よりも、結晶欠陥を低減しつつウェハの反りを極めて小さくでき、バッファ層上に形成されたGaN層も厚膜化できるエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】Si基板1上に形成されたバッファ層は、Si基板1側から厚さ方向にAl組成比がx=0.2からa=1(>x)に連続的に変化するAl0.2→1GaNと、Si基板1側から厚さ方向にAl組成比がaからxに連続的に変化するAl1→0.2GaNの少なくとも2層が、Al0.2→1GaN, Al1→0.2GaNの順に繰り返し積層された多層構造部4を有する。バッファ層上に形成されたAlGaNからなる組成傾斜層5は、バッファ層の最上層から電子走行層6側に向かって厚さ方向にAl組成比が連続的に減少している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板と、 上記Si基板上に形成されたバッファ層と、 上記バッファ層上に形成されたAlGaNからなる組成傾斜層と、 上記組成傾斜層上に形成されたGaNからなる電子走行層と、 上記電子走行層上に形成された電子供給層と を備え、 上記バッファ層は、上記Si基板側から厚さ方向にAl組成比がxからa(>x)に連続的に変化する組成式Alx→aGa1-x→1-aNの第1の層と、上記Si基板側から厚さ方向にAl組成比がaからxに連続的に変化する組成式Ala→xGa1-a→1-xNの第2の層の少なくとも2層が、上記第1の層,上記第2の層の順に繰り返し積層された多層構造部を有し、 上記組成傾斜層は、上記バッファ層の最上層から上記電子走行層側に向かって厚さ方向にAl組成比が連続的に減少していることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (24件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-041426   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-076235   出願人：サンケン電気株式会社