特許
J-GLOBAL ID：201003005860971109

半導体装置

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-076235
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232293
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】破損を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、シリコンを含む材料からなる基板2と、基板2上に形成された緩衝層3と、緩衝層3上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層4とを有する。緩衝層3は、アルミニウムを含む第1の窒化物系半導体層11と、第1の窒化物系半導体層11の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に減少する第1の組成傾斜層12と、第1の組成傾斜層12の上に形成され、アルミニウムを含まないまたは第1の窒化物系半導体層11よりもアルミニウムの含有率が少ない第2の窒化物系半導体層13と、第2の窒化物系半導体層13の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に増加する第2の組成傾斜層14とを順番に複数回積層したものである。第1の組成傾斜層12は、第2の組成傾斜層14よりも厚い。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された緩衝層と、 前記緩衝層の上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層とを有し、 前記緩衝層は、 前記基板の材料よりも格子定数が小さい材料からなる第1の窒化物系半導体層と、 前記第1の窒化物系半導体層の上に形成され、厚み方向に前記第1の窒化物系半導体層の格子定数から徐々に格子定数が大きくなる第1の組成傾斜層と、 前記第1の組成傾斜層の上に形成され、前記第1の窒化物系半導体層よりも格子定数の大きい材料からなる第2の窒化物系半導体層と、 前記第2の窒化物系半導体層の上に形成され、厚み方向に前記第2の窒化物系半導体層の格子定数から徐々に格子定数が小さくなる第2の組成傾斜層と を順番に複数回積層したものであって、 前記第2の組成傾斜層は、前記第1の組成傾斜層よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (22件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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