液晶表示装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-198549
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077517
出願日： 2010年09月06日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と、前記第1の薄膜トランジスタと構造の異なる第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、前記第1の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層と、前記ソース電極層及びドレイン電極層の少なくとも一と接する接続電極層と、前記酸化物絶縁層上に前記ドレイン電極層と前記接続電極層を介して電気的に接続する画素電極層とを有し、前記第1の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記酸化物絶縁層、及び前記画素電極層が透光性を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T , H01L29/78 616U , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (142件)：

2H092GA35 , 2H092GA41 , 2H092GA43 , 2H092GA50 , 2H092GA55 , 2H092GA62 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA22 , 2H092KA24 , 2H092KB04 , 2H092KB14 , 2H092KB22 , 2H092KB23 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092LA14 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092NA22 , 2H092PA06 , 2H092QA09 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD40 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F110AA04 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-379779 出願人：富士ゼロックス株式会社
絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-313579 出願人：キヤノン株式会社
発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社

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