半導体基板およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353669
特許番号：特許第4254005号
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主面と異なる面方位を有する側面からなる段差を有する、六方晶結晶を含む結晶基板と、前記結晶基板上に結晶成長され、かつ前記段差を被覆する窒化物半導体層とを有し、前記窒化物半導体層において前記側面より生じる欠陥が前記主面の法線方向とは異なる方向に伸びて集結してなる欠陥領域と、前記欠陥領域に隣接し、前記欠陥がほとんどない低欠陥領域とを備えたことを特徴とする半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01S 5/223 ( 200 6.01) , H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 B , H01S 5/223 , H01S 5/343

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-034920
ヘテロエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-003885 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-318918

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