成膜方法および成膜装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-228615
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135044
出願日： 2010年10月08日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】ALDにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体(ウエハ)を搬入し、Siソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程S1と、窒化ガスとしての窒素含有ガス(NH3ガス)を処理容器内へ供給する工程S2とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程S3a、S3bを挟んで交互に実施する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

真空保持可能な処理容器内に収納された被処理体の温度を150〜550°Cとして、第1供給工程及び第2供給工程を交互に含むサイクルを複数回繰り返し、前記被処理体上にシリコン窒化膜を形成し、前記第1供給工程では、圧力を66.65〜666.5Paに設定した前記処理容器内へSiソースとしてのモノクロロシランガスを供給し、前記第2供給工程では、窒化ガスとしての窒素含有ガスを前記処理容器内へ供給することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/318 B , H01L21/205 , H01L21/31 C , C23C16/42

Fターム (53件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC12 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045DP20 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH12 , 5F058BA08 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (1件)

ケイ素含有フィルムの低温堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-512610 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド, 東京エレクトロン株式会社

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