ケイ素含有フィルムの低温堆積

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 蛯谷厚志 , 塩川和哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-512610
公開番号（公開出願番号）：特表2011-524087
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン(MCS)及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

次のステップを含む方法であって、プラズマで促進される、窒化ケイ素又は炭素ドープ窒化ケイ素をプロセスチャンバー中で基材に堆積させる方法: a.前記基材と窒素含有原料とを接触させて、前記基材上に、前記窒素含有原料の少なくとも一部を吸着させるステップ; b.未吸着の窒素含有原料をパージするステップ; c.前記基材とケイ素含有前駆体とを接触させて、吸着した窒素含有原料の前記一部と反応させるステップ;及び d.未反応のケイ素含有原料をパージするステップ。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , C23C 16/42 , C23C 16/455 , C23C 16/50 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L21/318 B , H01L21/318 C , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/316 X

Fターム (27件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030HA01 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (6件)

低温シリコン化合物堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-530121 出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-172438 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-288060 出願人：株式会社日立国際電気

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