単結晶の製造方法および引上げ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592477
特許番号：特許第3750525号
出願日： 1999年12月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法によるワイヤを用いた単結晶の引上げにおいて、炉内上部に上部断熱材を配設して炉内温度分布を調節し、前記ワイヤの種結晶保持具との結合部先端近傍の温度が、常に800°Cを越えないようにするために、種結晶保持具および/または種結晶の長さを炉内の温度分布に応じて調整して、直径が250mm以上の単結晶を引上げることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：