特許
J-GLOBAL ID：201103026580851242
磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
星宮 勝美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128485
特許番号：特許第3284130号
出願日： 2001年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに反対側を向く2つの面と、互いに反対側を向く2つの側部とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する2つのバイアス磁界印加層と、それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接し、且つ前記磁気抵抗効果素子の一方の面に部分的に重なるように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す2つの電極層と、前記磁気抵抗効果素子の一方の面と前記2つの電極層とが対向する領域の一部であって前記磁気抵抗効果素子の各側部側の各端部を含む2つの領域において、前記磁気抵抗効果素子の一方の面と前記2つの電極層との間に配置された2つの非導電層とを備え、前記磁気抵抗効果素子は、互いに反対側を向く2つの面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面に隣接するように配置された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、前記ピンド層における前記非磁性層とは反対側の面に隣接するように配置され、前記ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層とを有し、前記軟磁性層と前記反強磁性層のうち、前記軟磁性層の方が前記磁気抵抗効果素子の一方の面の近くに配置され、前記バイアス磁界印加層は、強磁性体よりなる第1層と、反強磁性体よりなる第2層とを有し、前記第1層は、前記非磁性層、ピンド層および軟磁性層の側方に配置され、前記第2層は前記第1層と前記電極層との間に配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果装置。
IPC (8件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/28
, H01F 10/30
, H01F 41/18
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/28
, H01F 10/30
, H01F 41/18
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
