半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357737
特許番号：特許第3719878号
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】線間絶縁膜を介して複数形成された配線からなる配線層が基板上に層間絶縁膜を介して複数形成されてなる3層以上からなる多層配線構造を有する半導体装置において、前記配線層のうち最上層又は上位2層における前記線間絶縁膜は、膜幅方向に生じる応力を緩和する方向に補正するように、互いに膜応力が逆方向に働く材料からなり互いに接する少なくとも2層の絶縁膜の積層構造を有し、且つ最下層の線間絶縁膜は単層構造を有し、前記最上層又は上位2層における前記線間絶縁膜の膜厚は、前記配線層のうち最下層における線間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：