特許

J-GLOBAL ID：200903009304067112

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宇佐美 達矢
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099717
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294634
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 基板表面に複数の配線構造を配置させて成る従来の半導体では、リーク電流が発生し隣接する配線構造間の絶縁性が損なわれる、配線構造の複数の膜の界面で密着性不良やクラックが生ずる、配線構造中の有機樹脂膜等からのガス等に起因して、隣接する配線構造間の空間にボイドが生ずるといった欠点があった。本発明はこれらを解消した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に隣接する配線構造の対向面の側壁部分に無機絶縁膜109を形成する。この無機絶縁膜は、個々の配線構造内で生ずるリーク電流を遮断し、配線構造内の複数の膜102 〜106 を側面から保持するためクラック等の発生が防止され、更に有機樹脂膜103 、105 からのガスを遮断して隣接配線構造間の空間でのボイドの形成を阻害する。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の配線を配置して成り隣接する配線間の空間に金属を充填して成る半導体装置において、隣接する配線の対向面の側壁部分に無機絶縁膜を設置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (9件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 V

Fターム (88件)：

4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104EE08 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB10 ,  5F004DB24 ,  5F004EA06 ,  5F004EA27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW09 ,  5F033XX00 ,  5F033XX25 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AG04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-098284   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337514   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-296220   出願人：ソニー株式会社