シリコンウェハの接合方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155977
特許番号：特許第3870637号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】回路素子が形成された第1のシリコン基板と、台座となる第2のシリコン基板とを重ね合わせて接合するシリコンウェハの接合方法であって、前記第1のシリコン基板にAu-20%Sn層を形成し、前記第2のシリコン基板にNi層を形成し、その上にAg層を形成し、前記第1のシリコン基板のAu-20%Sn層と第2のシリコン基板のAg層とを重ね、所定の荷重及び温度を加えて両シリコン基板を合金接合することを特徴とするシリコンウェハの接合方法。

IPC (7件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) , H01L 29/84 ( 200 6.01) , B81C 3/00 ( 200 6.01) , G01L 9/04 ( 200 6.01) , G01P 15/12 ( 200 6.01) , H01L 21/52 ( 200 6.01) , H01L 41/08 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/02 B , H01L 29/84 B , B81C 3/00 , G01L 9/04 , G01P 15/12 , H01L 21/52 D , H01L 41/08 Z

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭52-143763
特開昭60-088479
特開昭56-043736

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審査官引用 (4件)

特開昭52-143763
特開昭60-088479
特開昭56-043736

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