特許

J-GLOBAL ID：201103027129019475

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 山田 敦史 ,  篠根 克典 ,  長島 靖明
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-201314
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017809
特許番号：特許第3742317号
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体基板(12)と、 この半導体基板の上面における長尺方向に沿って形成され、第1導電型の第1のクラッド層(17)と活性層(18)と第2導電型の第2のクラッド層(19)とからなる台形状断面形状を有するメサストライプ部(13)と、 このメサストライプ部の外側でかつ前記半導体基板上に形成された電流ブロック部(16)と、 前記メサストライプ部の上面と前記電流ブロック部の上面を共通に覆う第2導電型の第3のクラッド層(24)と を備えた半導体発光素子(11、11a)であって、 前記メサストライプ部は、前記半導体基板における長尺方向の少なくとも一方端との間に窓領域(32)を介在して形成され、 前記メサストライプ部における前記窓領域側の端面(15a)は2面を有し、該2面は前記半導体基板の上面に対する垂直線と前記メサストライプ部の長尺方向の中心線とを含む平面を挟んで互いに対称に配置され、かつ、該2面はそれぞれ<100>方向及び<011>方向に対して傾斜している ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 ( 200 6.01) ,  H01S 5/16 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319309   出願人：古河電気工業株式会社
• 光導波路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-005566   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭58-141587