特許
J-GLOBAL ID：201103027197653247

MOSFET半導体装置及びその製造方法

発明者：
土明 正勝

土明 正勝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269108
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094111
特許番号：特許第3459385号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン半導体基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に設けられた単結晶シリコンで形成されたシリコンチャネル層と、このシリコンチャネル層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記シリコンチャネル層にチャネル及び前記シリコン半導体基板に第二のチャネルが形成されるよう設けられたソース/ドレイン電極を備えてなると共に、前記シリコンチャネル層は、該シリコンチャネル層を伝導する電子の波動関数のチャネル垂直方向の広がり寸法以下の厚さを有し該シリコンチャネル層を伝導する電子の移動度を増加させる厚さを有するものであり、かつ前記絶縁層は、前記シリコンチャネル層を伝導する電子が前記シリコンチャネル層のチャネルから前記シリコン半導体基板の第二のチャネルへ量子力学的トンネル過程により放出されることを可能とし、チャネル電流中の1/fノイズが抑制される厚さを有するものであることを特徴とするMOSFET半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
  • 特開平4-179271
  • 特開平4-179271
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281021   出願人：新日本製鐵株式会社
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