ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-050712
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187643
出願日： 2010年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、絶縁性基板上に順次積層されたAlNバッファ層、AlGaN組成傾斜層、GaNチャネル層、およびAlGaN障壁層を含み、AlGaN組成傾斜層はその下面から上面に向かってAl濃度が低減されており、AlGaN障壁層はAlGaN組成傾斜層の上面におけるAl濃度よりも15%以上大きなAl濃度を有しており、AlGaN組成傾斜層中において自発分極およびピエゾ効果によって得られる擬似的なp型シートキャリア濃度が3x1012cm-2以上4x1012cm-2以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に順次積層されたAlNバッファ層、AlGaN組成傾斜層、GaNチャネル層、およびAlGaN障壁層を含み、前記AlGaN組成傾斜層はその下面から上面に向かってAl濃度が低減されており、前記AlGaN障壁層は前記AlGaN組成傾斜層の上面におけるAl濃度よりも15%以上大きなAl濃度を有しており、前記AlGaN組成傾斜層中において自発分極およびピエゾ効果によって得られる擬似的なp型シートキャリア濃度が3x1012cm-2以上4x1012cm-2以下であることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B

Fターム (26件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB33 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102GT06 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-099359 出願人：株式会社東芝

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