特許
J-GLOBAL ID：200903078421334360
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-099359
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258419
出願日： 2007年04月05日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】リーク電流が小さく、オン抵抗が低い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】GaN-HFETにおいて、n+型SiC基板1上に、AlNバッファー層2、p型GaN層3、アンドープGaN層4及びAlGaN層5をこの順に積層させる。また、AlGaN層5上に、ソース電極6及びドレイン電極7を設け、その間にゲート電極8を設ける。そして、ソース電極6をn+型SiC基板1まで貫通させる。これにより、p型GaN層3及びn+型SiC基板1をソース電極6に接続する。この結果、p型GaN層3によるポテンシャルバリアによってリーク電流を低減すると共に、裏面からのフィールドプレート効果によって、電流コラプスによるオン抵抗の増加を抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型SiCからなる基板と、
前記基板上に形成され、AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成され、p型AlyGa1-yN(0≦y<1)からなる第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に形成され、アンドープAlzGa1-zN(0≦z<1)からなる第3の半導体層と、
前記第3の半導体層上に形成され、アンドープ又はn型AluGa1-uN(0<u≦1、z<u)からなる第4の半導体層と、
前記基板、前記第2の半導体層及び前記第4の半導体層に接続された第1の主電極と、
前記第4の半導体層に接続された第2の主電極と、
前記第4の半導体層上に設けられた制御電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 29/80
H01L29/80 H
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652J
, H01L29/80 F
, H01L29/80 V
, H01L29/80 L
, H01L29/06 301F
5F102FA00
, 5F102FA02
, 5F102GB02
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR07
, 5F102GR13
, 5F102GS09
