特許

J-GLOBAL ID：201103027535319510

樹脂封止型半導体装置の製造方法

発明者： 岡 ▲隆▼弘
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (2件)： 清水 守 ,  川合 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012239
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216178
特許番号：特許第3556503号
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】樹脂封止型半導体装置の製造方法において、(a)スクライブラインで個別に区切られてなる複数個の半導体素子が設けられ、それぞれの半導体素子の電極には突起電極が設けられたウエハを用意する工程と、(b)該ウエハのスクライブラインに対応して設計されているカットラインによって区切られ、前記ウエハ上の複数個の半導体素子に対応して設計されている、複数個の配線基板本体部分を有し、前記基板のカットライン上には円状の樹脂注入孔が基板本体部のコーナーの4箇所に設けられ、それぞれの配線基板本体部分には、半導体素子の突起電極に対応したインナーパッドが設けられ、該インナーパッドは基板内部の配線によって基板の反対面の外部接続用パッドに接続されている基板を用意する工程と、(c)前記ウエハ上の半導体素子の突起電極と前記基板上のインナーパッドを合致させる工程と、(d)合致させた突起電極とインナーパッドを接続する工程と、(e)前記基板のカットライン上にある複数個の樹脂注入孔から樹脂を注入し充填する工程と、(f)前記樹脂を硬化させる工程と、(g)前記基板のカットラインとウエハのスクライブラインを一度に切削する工程とを施すことによって、(h)半導体素子と基板の端面を完全に一致させた複数の封止樹脂型半導体装置を同時に得ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 T ,  H01L 23/30 R

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-320141   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置及びその製造方法及びその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-181132   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310804   出願人：新光電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-320141   出願人：株式会社リコー