特許
J-GLOBAL ID：201103027987154437

テトラエン誘導体及びその製造方法

発明者：
高橋 保

高橋 保 について

, 
劉 元紅

劉 元紅 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (3件)： 小林 純子 ,  黒田 薫 ,  小林 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220787
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040808
特許番号：特許第4067791号
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1)で示されるテトラエン誘導体の製造方法であって、 (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は、同一の基であり、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、ただし、R2及びR3、並びに、R6及びR7は、それぞれ、互いに架橋してC4〜C20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式-N(B)-で示される基(式中、Bは水素原子又はC1〜C20炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。) 下記式(2a)及び(2b)で示されるメタラシクロペンタジエン (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は、上記の意味を有する。M1及びM2は、互いに独立し、同一又は異なって、周期表の第3族〜第5族またはランタニド系列の金属を示し;L1、L2、L3及びL4は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、L1及びL2、並びに、L3及びL4は、架橋されていてもよい。)を反応させることを特徴とするテトラエン誘導体の製造方法。
IPC (4件)：
C07C 2/38 ( 200 6.01) ,  C07C 2/40 ( 200 6.01) ,  C07C 11/21 ( 200 6.01) ,  C07C 15/50 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C07C 2/38 ,  C07C 2/40 ,  C07C 11/21 ,  C07C 15/50
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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