特許

J-GLOBAL ID：201103028115005095

半導体素子及びその製造方法

発明者： 宮本 和弘 ,  五月女 博明 ,  佐藤 弘之 ,  森川 謙一
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168392
特許番号：特許第3441059号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 p型ZnO系単結晶層と、前記p型ZnO系単結晶層に接触し、Ni、Rh、Pt、Pdおよびこれらの合金の群から選択された少なくとも1種を含む第1金属層と、前記第1金属層の上に形成される第2金属層を含み、前記第1金属層がNiの場合は、前記第2金属層はAu、Rh、Pt、Pd、Irのうち少なくとも一つを含む金属層であり、前記第1金属層がRhの場合は、前記第2金属層はAuを含む金属層であり、前記第1金属層がPtの場合は、前期第2金属層はRh、Auのうち少なくとも一つを含む金属層であり、前記第1金属層がPdの場合は、前記第2金属層はAuを含む金属層であり、前記第1金属層がIrの場合は、前記第2金属層はRh、Au、Pdのうち少なくとも一つを含む金属層である半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団