特許
J-GLOBAL ID：201103028269042163

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
中村 広希

中村 広希 について

, 
ラジェシュ クマール

ラジェシュ クマール について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184713
特許番号：特許第4581239号
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素基板(3)に向けて不純物のイオン注入を行うことにより、前記炭化珪素基板に不純物層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、 前記炭化珪素基板のうち、前記不純物層を形成する表面とは反対側となる裏面を加熱するようにし、該裏面のうち少なくとも前記不純物のイオン注入を行う場所に対向する位置を加熱した状態で前記不純物のイオン注入を行い、前記不純物層を形成する工程を有し、 前記不純物層を形成する工程では、前記不純物のイオン注入位置をスキャンによって移動させると共に、前記基板裏面側の加熱位置を前記スキャンに合わせて移動させ、前記基板裏面のうち、前記不純物のイオン注入が成される位置と対向する位置を加熱することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/265 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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