半導体素子の加速試験方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山崎宏 , 前田厚司 , 東島隆治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000705
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199778
特許番号：特許第3813752号
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】両極間の電流経路を開閉する半導体素子の加速試験方法であって、前記半導体素子の使用時に前記半導体素子の電流経路を形成する両極間に印加する交流電圧の周波数より高い周波数であり、オフ状態の前記半導体素子をオンにする、前記両極間の印加電圧の上昇速度で定義される臨界オフ電圧上昇率を、前記半導体素子の定格電圧の4倍の値で除した値で表される周波数よりは低い周波数であって、前記半導体素子の定格電圧よりは低い値の交流電圧を前記両極間に印加するステップ、及び前記交流電圧が前記両極間に印加されているときに、前記半導体素子の前記両極間を流れるリーク電流を測定するステップを有する半導体素子の加速試験方法。

IPC (2件)：