特許

J-GLOBAL ID：201103028625510584

半導体の表面を荒くする方法

発明者： 酒井 士郎 ,  イーヴ ラクロワ
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100609
特許番号：特許第3466144号
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 LEDを構成する半導体の光取り出し側の表面に、熱処理により不均一な混合状態となる性質を有する第1の材料と第2の材料とを堆積し、前記2つの材料が堆積された前記半導体を熱処理し、前記半導体の前記2つの材料が堆積された面を、一方の材料のエッチング速度が他方の材料及び前記半導体の材料のエッチング速度より遅いエッチング方法でエッチング処理することで、前記半導体の前記表面を選択的にエッチングし、前記表面を荒くすることを特徴とする半導体の表面を荒くする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 105 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-288871
  
• 凸凹シリコン膜の形成方法と半導体メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-188329   出願人：日本電気株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320372   出願人：三洋電機株式会社