特許
J-GLOBAL ID：201103028719768585
SOI素子の基板構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 松本 公雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013325
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111009
特許番号：特許第4340831号
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板、該半導体基板の上面に形成された埋込絶縁膜及び該埋込絶縁膜の上面に形成された半導体本体層を有するSOI基板と、
前記半導体基板の上面が露出されるように、前記埋込絶縁膜及び前記半導体本体層を選択的に食刻して形成される各トレンチと、
前記トレンチの内部の前記半導体本体層及び前記埋込絶縁膜の側壁に、前記半導体基板の上面に接するように形成される半導体性側壁スペーサと、
前記半導体性側壁スペーサの上面及び側面に形成された金属膜と、
前記トレンチの内部に充填される素子隔離用絶縁膜と、
を包含して構成されることを特徴とするSOI素子の基板構造。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 626 B
, H01L 29/78 626 C
