半導体集積回路の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：入戸野巧 , 本山泰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178040
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057283
特許番号：特許第3681992号
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化合物半導体基板の一方の主面上に、選択エッチング層、コンタクト層、第1のDBR層、活性層、第2のDBR層、光吸収層の順にエピタキシャル成長によって積層体を形成した光入出力基板と、一方の主面上に半導体素子が集積され、かつ電気接続用金属層および放熱用金属層がパタン形成されたシリコン集積回路基板とを、前記光入出力基板の前記積層体を形成した面と前記シリコン集積回路基板の半導体素子が集積された面とを対向させて有機材料からなる絶縁性の接着層を介して貼り合わせ、前記光入出力基板の前記化合物半導体基板および前記選択エッチング層を研磨および化学エッチング法により除去する第一の工程と、前記第一の工程に引き続き、前記積層体を加工して発光素子および受光素子とを形成し、当該発光素子および受光素子の各々の電極を形成する第二の工程と、前記シリコン集積回路基板上の半導体素子と前記発光素子および受光素子の各々の電極とを接続するためのスルーホールを形成し、前記スルーホールを金属で埋めて電気的に接続させる第三の工程とを備え、前記第二の工程は、前記コンタクト層と前記第1のDBR層と前記活性層と前記第2のDBR層とを加工して発光素子部を形成する工程と、形成した発光素子部の前記コンタクト層と前記第2のDBR層とに電極を形成して発光素子を形成する工程と、前記発光素子部を形成する工程によって露出した前記光吸収層に電極を形成して受光素子を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/00 , H01L 21/768 , H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01S 5/02 , H01S 5/026 , H01S 5/183

FI (11件)：

H01L 27/00 301 C , H01L 27/00 301 B , H01L 27/15 B , H01L 27/15 D , H01L 27/15 T , H01S 5/02 , H01S 5/026 612 , H01S 5/183 , H01L 21/90 A , H01L 31/10 A , H01L 31/10 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-299259
特開平2-299259
特開平1-133341

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