特許

J-GLOBAL ID：201103028807874530

接合基板の製造方法、接合基板、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置並びにカメラ

発明者： 藤井 宣年
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-272491
公開番号（公開出願番号）：特開2011-114326
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：

【課題】半導体基板の接合方法において低温での熱処理による高い接合強度を得る。【解決手段】半導体基板10の一方の表面に第1接合層11を形成し、一方で、支持基板20の一方の表面に第2接合層21を形成し、第1接合層11と第2接合層21を貼り合わせ、熱処理を行って第1接合層11と第2接合層21と接合させ、半導体基板10の他方の表面から半導体基板を薄膜化して半導体層10aとし、ここで、第1接合層11を形成する工程と第2接合層21を形成する工程のうち少なくともいずれか一方の工程において、第1接合層11と第2接合層21の少なくともいずれか一方の表面に炭化ケイ素または炭化窒化ケイ素を有する層を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の表面に第1接合層を形成する工程と、 支持基板の一方の表面に第2接合層を形成する工程と、 前記第1接合層と前記第2接合層を貼り合わせる工程と、 前記第1接合層と前記第2接合層と接合させる熱処理工程と、 前記半導体基板の他方の表面から前記半導体基板を薄膜化して半導体層とする工程と を有し、 前記第1接合層を形成する工程と前記第2接合層を形成する工程のうち少なくともいずれか一方の工程において、前記第1接合層と前記第2接合層の少なくともいずれか一方の表面に炭化ケイ素または炭化窒化ケイ素を有する層を形成する 接合基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L21/02 B ,  H01L27/14 A ,  H01L27/12 B

Fターム (10件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-287523   出願人：信越化学工業株式会社