エッチング方法および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235970
特許番号：特許第3597721号
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ポリシリコン膜と、その上に形成されたタングステン膜とを有する構造においてタングステン膜をエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスとして、O2ガスおよびCl2ガスにCF4を加え、O2ガス、Cl2ガスおよびCF4ガスの流量全体を10とした場合に、O2ガスの流量は4〜6、Cl2ガスの流量は2〜3の範囲であるものを用いてポリシリコン膜に対して選択的にタングステン膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：