半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：開口宗昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061912
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260894
特許番号：特許第3287328号
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体チップに接続されCuを含む配線部と、前記配線部に接合されSn-Pb共晶半田を含む半田ボールとを有してなり、前記半田ボールと前記配線部との接合部に厚さ約1.87μm以上のCu-Sn系合金層が形成され、前記半田ボール中に分散して形成されるPbの塊の分散密度が20×104個/mm3以上であることことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：