特許
J-GLOBAL ID：201103029071751939
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188197
特許番号：特許第3870780号
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウエハーから個々の素子単位にダイサーで分割するダイシング工程で得られた個々の半導体チップをダイボンダーによりリ-ドフレーム、サポートバーまたは配線基板に接着固定するダイボンド工程において、
接着固定前に前記個々の半導体チップの前記ウエハー上の位置情報を読み取り、接着固定後に当該半導体チップの接着固定位置の前記リードフレームのアウターリード、サポートバーまたは配線基板の外表面に当該半導体チップの前記読み取った前記ウエハー上の位置情報を記録することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/52 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/50 ( 200 6.01)
H01L 21/52 Z
, H01L 23/12 Z
, H01L 23/50 Z
