特許
J-GLOBAL ID：201103029497745022

液晶表示装置とその製造方法

発明者：
田中 栄

田中 栄 について


出願人/特許権者：
田中 栄

田中 栄 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164223
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305113
特許番号：特許第4292350号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記基板間に、はさまれた液晶組成物層と、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面にマトリックス状に配置された複数の走査線と映像信号配線、および画素電極およびアクティブ素子を備えた液晶表示装置において、前記走査線を形成するプロセスとして次の工程を用いる。 i)基板の上に酸化チタン膜または、酸化亜鉛膜または、酸化チタンと酸化亜鉛の複合酸化膜を形成する。 ii)その上にパラジウムイオンまたは銀イオンまたはルテニウムイオンを吸着する。 iii)走査線用のホトマスクを用いて紫外線を照射する。 iv)紫外線の照射されなかった領域の金属イオンを洗い流す。 v)走査線の形状に還元された金属を足場として無電界メッキ法を用いて銅または、銀またはルテニウムを成長させる。 上記の製造方法を用いて走査線を形成した後、アクティブ素子のゲート絶縁膜と半導体層を基板上に堆積する時、有効画素領域と有効画素領域の周囲に形成される静電気対策用保護アクティブ素子を含む基板の局部領域のみに部分的に堆積する。 その次に映像信号配線と画素電極を形成するための金属電極層を形成した後、映像信号配線と画素電極を連結する薄膜トランジスタ素子のチャネル部分のホトマスク透過光量を変調し、ホトレジスト現像後に、薄膜トランジスタ素子のチャネル部分のホトレジスト膜厚を薄くする製造方法を用いることで、映像信号配線と画素電極と薄膜半導体素子分離を同時に1回のホトリソグラフィー工程でおこなう。この工程と、走査線を形成するホトマスク工程をふくめ、全工程を2回のホトマスク工程で完了し、ホトレジスト工程は、薄膜半導体素子分離と映像信号配線と画素電極を形成する時の1回だけしか用いないことを特徴とする横電界方式液晶表示装置の製造方法。
IPC (8件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1335 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/288 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G02F 1/136 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 612 C
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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