特許
J-GLOBAL ID：201103029562610628
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294865
特許番号：特許第4132379号
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 インナーリードフレーム上に配置されたレーザダイオードをモールド樹脂で封止してなる半導体レーザ装置であって、
レーザチップからのレーザ光が出射・透過するモールド面であるレーザ出射面の抜き勾配を他のモールド面であるレーザ非出射面の抜き勾配に比べて小さく設定して当該レーザ出射面および当該レーザ非出射面を形成する抜き勾配を非対称とするとともに、当該レーザ光の光軸がレーザ出射面と垂直になるようにインナーリードフレームの主面を当該レーザ出射面の抜き勾配だけ折曲させて構成した
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (4件)：
H01S 5/022 ( 200 6.01)
, H01L 23/29 ( 200 6.01)
, H01L 23/31 ( 200 6.01)
, H01L 23/48 ( 200 6.01)
H01S 5/022
, H01L 23/30 F
, H01L 23/48 Y
