特許
J-GLOBAL ID:201103029608554671
被膜の形成方法及び真空成膜装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 嘉宏
, 古川 安航
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-268823
公開番号(公開出願番号):特開2001-089853
特許番号:特許第4260305号
出願日: 1999年09月22日
公開日(公表日): 2001年04月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 原料物質を真空成膜により順次に堆積して被膜を形成する被膜の形成方法であって、
前記被膜を形成する過程において、前記堆積された被膜の抵抗値及び膜厚を、一の時間及び他の時間において検出し、一の時間における被膜の抵抗値及び膜厚と、他の時間における被膜の抵抗値及び膜厚とに基づく演算により、一の時間と他の時間との間に堆積された被膜の比抵抗を求め、該求められた比抵抗に基づいて、目標とする比抵抗の被膜となるように成膜条件を制御することを特徴とする被膜の形成方法。
IPC (3件):
C23C 14/54 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
FI (3件):
C23C 14/54 C
, C23C 14/08 D
, G09F 9/00 342 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
シリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041738
出願人:日本真空技術株式会社
-
特開平2-240262
-
特開昭59-227111
-
特公平7-076421
全件表示
審査官引用 (4件)