特許

J-GLOBAL ID：201103029678656900

転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 橋本 雅広 ,  酒井 和也 ,  鈴木 寿幸 ,  小野 一法
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-161968
公開番号（公開出願番号）：特開2011-209762
出願日： 2011年07月25日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長200nm以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、 前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、 前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、1.0×1018atoms/cm3未満であることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、 前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、 前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、1.0×1018atoms/cm3未満であることを特徴とする転写用マスク。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 G

Fターム (5件)：

2H095BA06 ,  2H095BB03 ,  2H095BC05 ,  2H095BC13 ,  2H095BC24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-352340   出願人：信越化学工業株式会社
• フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-065763   出願人：信越化学工業株式会社, 凸版印刷株式会社