特許
J-GLOBAL ID:200903080971638205

フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-065763
公開番号(公開出願番号):特開2007-241060
出願日: 2006年03月10日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
【課題】エッチング加工時にパターンの粗密依存性が低い十分な加工精度を得ることのできるフォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板1上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、フッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物、特に遷移金属とケイ素を含有する材料で構成した遮光膜2と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜4とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、 透明基板上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜と、 該遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (3件):
G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F1/14 A ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (7件):
2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB16 ,  2H095BC05 ,  2H095BC14 ,  2H095BC20 ,  2H095BC24
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (23件)
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