特許
J-GLOBAL ID:201103030184754541

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村山 光威
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-168497
公開番号(公開出願番号):特開2000-357668
特許番号:特許第3785290号
出願日: 1999年06月15日
公開日(公表日): 2000年12月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板上に、金属材料膜および反射防止膜を順次積層した電極または配線と、これら電極または配線と同一構造を有する電極パッドが形成され、前記電極パッド表面の周辺部は絶縁膜で被覆されると共に、少なくともその表面上にはバリヤメタルが形成されており、さらに前記バリヤメタル上にはバンプが設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 D
引用特許:
審査官引用 (2件)

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