特許
J-GLOBAL ID：201103030232953519
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176222
特許番号：特許第3735033号
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体レーザチップを搭載する搭載部と該搭載部から延びる放熱部とを有する第1リード部と、
前記放熱部の両側に設けられた1対の電極用の第2リード部と、
前記第2リード部の両側に設けられ、前記第1リード部から連続して延びる放熱用の第3リード部と、
前記第1、第2および第3リード部を固定するための樹脂部とを備え、
前記第2リード部の長手方向に前記樹脂部と係合する係合部を前記第2リード部に設け、かつ前記樹脂部内で前記第2リード部を真っ直ぐに延在させ、
前記係合部は、前記第2リード部の幅を局所的に広げることで形成された広幅部を含み、
前記広幅部の一部を露出させる開口部を設け、
前記第3リード部は、前記第2リード部と同じ側に前記樹脂部から延出する、
半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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