特許
J-GLOBAL ID:201103030509373965
EL素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
佐藤 一雄
, 前島 旭
, 小野寺 捷洋
, 中村 行孝
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-094874
公開番号(公開出願番号):特開2000-286054
特許番号:特許第4408477号
出願日: 1999年04月01日
公開日(公表日): 2000年10月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間にEL層とを有してなる、EL素子であって、
前記EL層と前記陽極との間に、正孔注入制御促進層を有してなり、
前記正孔注入制御促進層が、電子親和力が1.15eV以上の、ニトロ置換ベンゼン類、アミノ置換ベンゼン類、ハロゲン置換ベンゼン類、置換ナフタレン類、ベンゾキノン類、ニトロ置換フルオレノン類およびクロラニル類から選ばれた電子受容性物質と、
室温の熱エネルギーおよび/または光の照射により、キャリアを発生させる、a-Se系材料、a-Si系材料、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリ-N-エチレン性不飽和基置換フェノチアジン類、ポリビニルピレン、ピリリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウム系染料、アズレニウム塩、シアニン系染料、スクワリリウム塩系染料、フタロシアニン顔料、ペリレン顔料、ピラントロン系顔料、多環キノン系顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ピロール系顔料、アゾ顔料およびアンサンスロン系顔料から選ばれた電荷発生剤、
とを少なくとも含有し、前記正孔注入制御促進層における前記電荷発生剤に対する前記電子受容性物質の混合比(モル比)が0.01以上、1以下であることを特徴とする、EL素子。
IPC (1件):
FI (2件):
H05B 33/22 C
, H05B 33/14 A
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平1-313892
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特開平1-313892
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電界発光素子および波長変換方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-183158
出願人:株式会社リコー
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