特許

J-GLOBAL ID：201103030670828328

不揮発性半導体記憶装置

発明者： ヘミンク・ゲルトヤン ,  丹沢 徹 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311740
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169284
特許番号：特許第3626221号
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体層と制御ゲートの間に容量結合する電荷蓄積層を備えて構成された電気的書き替え可能なメモリセルと、前記メモリセルのしきい値を制御するしきい値制御手段であって、前記メモリセルのしきい値を変動させるために前記制御ゲートと前記半導体層との間に電圧パルスを印加する第1のステップと、前記電圧パルスの印加後に前記メモリセルのしきい値を検出する第2のステップとを、前記メモリセルのしきい値が所望のしきい値に達するまで前記電圧パルスの電圧を一定の電圧変動分ずつ高めながら繰り返すしきい値制御手段と、を備え、前記電圧変動分は、前記電圧パルスを印加した時に前記メモリセルのしきい値がほぼ前記電圧変動分だけ変動されるように設定され、前記メモリセルは複数個設けられ、前記第1のステップと前記第2のステップを前記複数のメモリセルに対して同時に行い、それぞれのメモリセルが前記所望のしきい値に達した時にそれぞれのメモリセルに対する前記電圧パルスの印加を独立に止めることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 D ,  G11C 17/00 633 D ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体メモリシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-024769   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-159895