電荷転送素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 谷澤靖久 , 河合信明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185716
特許番号：特許第3578029号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】信号電荷を一方向に順次転送する垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部により順次転送された前記信号電荷を受け入れて前記信号電荷を順次転送する水平電荷転送部とを含む電荷転送素子であって、前記垂直電荷転送部は、前記垂直電荷転送部をその電荷転送方向に対して垂直な切断面で切断したとき、両側に高不純物濃度で一導電型の第1外側高濃度不純物領域があって前記第1外側不純物領域が中央の低不純物濃度で一導電型の第1内部低濃度不純物領域を挟む構成の第1混合チャネル領域を含み、前記第1混合チャネル領域は、前記垂直電荷転送部を覆う垂直電荷転送電極群の内の任意の1電極である接続垂直電荷転送電極下の途中まで形成され、その位置から水平電荷転送部方向の垂直電荷転送部が、高不純物濃度で一導電型の第1高濃度不純物領域で形成されていることを特徴とする電荷転送素子。

IPC (3件)：

H01L 21/339 , H01L 27/148 , H01L 29/762

FI (2件)：

H01L 29/76 301 A , H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-180085 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る