パターン描画方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203048
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035766
特許番号：特許第4521076号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光露光に供される露光用マスクを形成するために、マスク基板上のレジストに所望パターンを描画する方法であって、前記パターンを高い寸法精度が要求される第1の領域とそれよりも低い寸法精度が要求される第2の領域とに分類する工程と、図形分割によるショット毎のばらつきが現れる周期が光露光の解像度よりも小さくなるように第1の領域のパターンを小さい図形に分割し、第2の領域のパターンを前記第1の領域の分割図形よりも大きい図形に分割する工程と、前記図形分割に従ってそれぞれの領域のパターンを前記マスク基板上のレジストに描画する工程とを含むことを特徴とするパターン描画方法。

IPC (2件)：