マスクパターンの補正方法および補正装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179157
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034097
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】斜め線部分を最低限のデータに分割することにより、補正データおよび補正計算時間の増加を最低限に抑え、欠陥検査時の疑似欠陥検出によるマスクスループットの低下を起こさず、しかも高精度に補正することができるマスクパターンの補正方法を提供すること。【解決手段】斜め線を含むパターン32を、細長い微小矩形パターンに分割し、斜め線を階段状の線とする。設計パターン32の外周に沿って、複数の評価点を配置する際に、階段状の斜め線32bに相当する微小矩形パターンの各短辺部40に評価点30を配置する。評価点30が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションする。シミュレーションされた転写イメージと、設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較する。各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する際に、前記微小矩形パターン40の長さを調節することで、階段状の斜め線の形状を補正する。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、補正処理時間を増大させることなく所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、変形させるマスクパターンの補正方法において、斜め線を含むパターンを、細長い微小矩形パターンに分割し、斜め線を階段状の線とする工程と、設計パターンの外周に沿って、複数の評価点を配置する際に、階段状の斜め線に相当する微小矩形パターンの各短辺部に評価点を配置する評価点配置工程と、評価点が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージと、前記設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較する比較工程と、前記各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する際に、前記微小矩形パターンの長さを調節することで、前記階段状の斜め線の形状を補正する変形工程とを有するマスクパターンの補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 W

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平1-107530
特開平2-039152
特開平3-208051

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審査官引用 (11件)

特開平4-179952
特開平4-179952
特開平3-208051

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