半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118192
特許番号：特許第4565727号
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面に多数個の搭載部を形成した導電パターンと、前記搭載部に相当する裏面に外部接続端子を設けた大判の支持基板と、前記各搭載部に固着された回路素子と、前記各搭載部を囲む格子状の柱状部と、前記回路素子を覆い前記支持基板と前記柱状部とにより前記各搭載部毎に気密中空部を形成し、前記支持基板の多数個の搭載部を覆い、全面に設けられた遮光性接着樹脂を介して固定されたガラス板とを有する前記回路素子が設けられた大判の前記支持基板を用意し、前記格子状の柱状部に沿ってダイシングし、前記各搭載部毎に分離する半導体装置の製造方法であり、前記外部接続端子は、前記ダイシングラインから内側に後退されている事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：