特許
J-GLOBAL ID：201103031427245027
燐化ガリウム発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535239
特許番号：特許第4032224号
出願日： 2000年10月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】燐化ガリウム単結晶基板上に、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層とが少なくとも一層ずつ形成された燐化ガリウム発光素子において、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層との間のp-n接合部のp型燐化ガリウム層にのみ窒素がドープされ、かつ、ドナー濃度及びアクセプター濃度がいずれも1×1016個/cm3より低い低キャリア濃度層を前記p型燐化ガリウム層にのみ設けてなることを特徴とする燐化ガリウム発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
H01L 33/00 B
, H01L 21/208 D
