特許

J-GLOBAL ID：201103031451052248

不揮発性記憶装置

発明者： 白石 淳
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260137
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074966
特許番号：特許第4467158号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数組の第1及び第2の行信号線と、 複数組の第1及び第2の列信号線と、 上記第1及び第2の行信号線と上記第1及び第2の列信号線との交点位置に配置されている複数の記憶素子と、 を有し、 上記記憶素子が、第1の記憶ノードに入力が接続され、第2の記憶ノードに出力が接続された第1のインバータと、上記第2の記憶ノードに入力が接続され、上記第1の記憶ノードに出力が接続された第2のインバータと、上記第1の行信号線と上記第1の記憶ノードとの間に接続され、その導通動作が上記第2の列信号線により制御される第1のスイッチ素子と、上記第2の行信号線と上記第2の記憶ノードとの間に接続され、その導通動作が上記第1の列信号線により制御される第2のスイッチ素子とを有し、 行方向に並んだ複数の記憶素子に対して連続的にデータを書き込む場合、書き込み対象の行の記憶素子に接続される上記第1及び第2の行信号線に第2の電圧を印加するとともに書き込み対象の記憶素子に接続される上記第1及び第2の列信号線の一方に上記第1又は第2のスイッチ素子が導通状態となる電圧を順次に印加する、 不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/412 ( 200 6.01) ,  G11C 11/41 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11C 11/40 301 ,  G11C 11/34 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-106789
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-169283   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-111394