半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169283
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016358
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】初期アドレスに従い、後続のサイクルで一部のアドレス変化の連続読み出しや書き込みの高速化と消費される電流の削減を可能とした半導体記憶装置を提供する。【解決手段】読み出し時には初期のサイクルだけワード線パルス選択し、後続のサイクルでは選択しない。また、この連続サイクル中はデジット線負荷を完全にオフにしてフローティング状態にする。書き込み時には、サイクル毎にデータバスから書き込みデータを、デジット選択アドレスに従い各デジット線に入力し、フローティング状態でデータを維持する。最終サイクルでワード線パルス選択し、メモリセルへの書き込みを同時に実行する。この動作により全体消費電流の約30%の削減とセルデータ読み出し速度の10〜20%の高速化が同時に実現できる。

請求項（抜粋）：

フリップフロップ、もしくは内部接点での電位保持機能と駆動トランジスタにより構成されるメモリセルをワード方向とデジット方向にマトリックス状に配置し、ワード線により線上に並ぶ複数のメモリセルがデジット線対とトランジスタを介して接続され、これら複数の前記デジット線対から一対を周辺回路に接続することで前記メモリセルを選択する半導体記憶装置において、前記ワード線が選択され、前記デジット線上に読み出しデータが現れた後に、前記ワード線をオフにするワード制御パルスを生成するパルス生成手段を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011393 出願人：株式会社日立製作所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-091399 出願人：松下電器産業株式会社
DRAM回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-201685 出願人：日本電気株式会社

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