特許
J-GLOBAL ID：201103031608596581
Si基板上の光電融合デバイス構造、その製造方法、及び成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332229
特許番号：特許第4054480号
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電子デバイスの形成された(100)面を有するSiウエハ上に形成された選択成長用マスクと、
Siとほぼ等しい格子定数の第1のIII-V材料から成り、前記Siウエハ上に形成された薄膜と、
該第1のIII-V材料より長い格子定数を有する第2のIII-VN材料と、第1のIII-V材料より短い格子定数を有する第3のIII-VN材料とが歪み補償しながら交互に積層されることにより、前記第1のIII-V材料から成る薄膜上及び前記選択成長用マスク上に形成された立方晶系の多層薄膜とを有し、
前記多層薄膜のうち前記選択成長用マスク上を横方向成長することにより形成された第4のIII-VN材料結晶は、前記第1のIII-V材料とほぼ等しい格子定数を有し、
且つ該第4のIII-VN材料結晶上に積層された化合物半導体光デバイスを有することを特徴とするSi基板上の光電融合デバイス構造。
IPC (7件)：
H01L 27/15 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 27/14 ( 200 6.01)
, H01S 5/183 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01S 5/026 ( 200 6.01)
H01L 27/15 A
, H01L 21/205
, H01L 27/15 D
, H01L 27/15 B
, H01L 27/14 Z
, H01S 5/183
, H01S 5/323
, H01S 5/343
, H01S 5/026 610
, H01S 5/026 650
