特許

J-GLOBAL ID：201103032009912935

加工方法

発明者： 久保田 章亀 ,  峠 睦
出願人/特許権者： 国立大学法人 熊本大学
代理人 (1件)： 有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068021
公開番号（公開出願番号）：特開2011-200944
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】高い加工レートを実現できると共に、表面の平滑化が可能な加工方法を提供する。【解決手段】過酸化水素水を含んだ水酸化カリウム溶液2中にSiC基板8を配置し、SiC基板8の表面に紫外光を照射する。紫外光の照射によってSiC基板8の表面に形成されたSiO2層9を水酸化カリウム溶液によって化学的に除去すると共に、合成石英定盤3aによってもSiO2層9を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アルカリ溶液中に配置された被加工物の表面に、同被加工物のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する光を照射すると共に、前記光が照射された前記被加工物の表面に加工部材を接触させた状態で前記被加工物と前記加工部材を相対的に変位させる工程を備える 加工方法。

IPC (2件)：

B24B 1/00 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

B24B1/00 Z ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 Z ,  B24B1/00 B

Fターム (14件)：

3C049AA09 ,  3C049AA11 ,  3C049AC04 ,  3C049CA05 ,  3C049CB03 ,  3C058AA02 ,  3C058AA09 ,  3C058AA11 ,  3C058AC04 ,  3C058CA05 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17