特許
J-GLOBAL ID：201103032044193666

結晶シリコン製造装置

発明者：
佐々木 順一

佐々木 順一 について

, 
続橋 浩司

続橋 浩司 について

, 
矢野尾 明仁

矢野尾 明仁 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395227
公開番号（公開出願番号）：特開2002-193609
特許番号：特許第4273659号
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】チャンバ内に、シリコン原料を溶融した溶湯を収容する鋳型と、この鋳型が載置されるチルプレートと、このチルプレートの下方位置に設けられた吸熱板と、前記鋳型の上方位置および下方位置に配置され、シリコン原料を加熱して前記溶湯を生成する上加熱部および下加熱部と、前記溶湯を増量するために前記鋳型の上側に設けられて加熱前にシリコン原料が載置されるとともに加熱に伴って載置されたシリコン原料が鋳型内に落下するよう鋳型内に向かう傾斜面を有する増量板と、を備え、この増量板は、前記鋳型の側壁部の周囲に配設された断熱材の上に設けられており、 前記上加熱部および前記下加熱部を作動させて前記溶湯を生成した後に、上加熱部を作動させたまま下加熱部の作動を停止して前記吸熱板によって吸熱し、前記鋳型内の前記溶湯の凝固を開始させ、その後上加熱部の作動を停止することにより、前記鋳型内の前記溶湯を下部から上部にかけて徐々に凝固させることを特徴とする結晶シリコン製造装置。
IPC (4件)：
C01B 33/02 ( 200 6.01) ,  C30B 11/02 ( 200 6.01) ,  C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C01B 33/02 Z ,  C30B 11/02 ,  C30B 29/06 501 Z ,  H01L 31/04 X
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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