半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201854
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035198
特許番号：特許第3434741号
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】入力クロックから内部クロックを生成する入力初段回路を備え、該内部クロックによってその内部回路を動作させるように構成されてなる半導体記憶装置であって、前記入力初段回路が、入力クロックを反転増幅して内部クロックを生成する第1のインバータと、該第1のインバータの出力を反転増幅する第2のインバータと、試験時オンになって、該第2のインバータの出力を、前記第1のインバータの入力に接続するスイッチ素子とから構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：