特許
J-GLOBAL ID：201103032153823270

重ね合わせ精度測定方法とこの方法で使用されるマーク

発明者：
神代 賢三

神代 賢三 について


出願人/特許権者：
旭化成マイクロシステム株式会社

旭化成マイクロシステム株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135695
特許番号：特許第3715485号
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基準層に、所定幅で所定形状のパターン(基準パターン)を有する基準マークを形成し、基準層の上に薄膜を介して形成するレジストパターンの一部として、所定幅で所定形状のパターン(合わせパターン)を有する合わせマークを形成し、基準パターン上部に形成された薄膜の凸部を基準パターンと見なして、基準パターンの外側ラインとこれに対応する合わせパターンの内側ラインとの間隔、および/または基準パターンの内側ラインとこれに対応する合わせパターンの外側ラインとの間隔を、基準パターンの中心を基準とした一方の側と他方の側とで測定することにより、基準層に対するレジストパターンの重ね合わせ精度測定を行う方法において、形状が基準パターンと相似であって下記の(1)式および(2)式を満たすダミーパターン(測定に使用しないパターン)を、基準マークの一部として基準パターンの内側および外側に形成し、この基準マークを使用して前記間隔を測定することを特徴とする重ね合わせ精度測定方法。Ls =Ls1 ....(1)1≦(Ls /Wss)≦5 ....(2)(ただし、Wss:基準パターンの幅,Ls :基準パターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離,Ls1:基準パターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離)
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 J ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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